סמסונג, המתמחה בתחום טכנולוגיית המוליכים למחצה, הכריזה על
פיתוח התקן זיכרון 1Gb OneNAND Flash המשתמש בטכנולוגיית
תהליך 90 ננומטר. ההתקן החדש, המספק קונספציה חדשה המכונה
"אחסון מאוחד" (Unified Storage), משלב את פונקצית קריאת
הנתונים המהירה של Nor Flash עם אחסון הנתונים המתקדם של
NAND Flash. השבב היחיד מבוסס על ארכיקטורת NAND המשלבת
זיכרון אוגר וממשק לוגיקה. ההתקן מציע ממשק סינכרוני של 66
מה"צ ופונקצית Cashe Read המאפשרת ביצועי קריאה מתקדמים של
MBps108. מהירות הקריאה שלו גבוהה פי ארבעה מזו של NAND
Flash קונבנציונלי. מהירות זו פותרת את זמן ההשהיה בהעתקת
קוד אתחול מה- NAND Flashאל ה-DRAM וביצוע יישומי על-פי
דרישה.
|