 חברת SAMSUNG הכריזה על פיתוח מארז בגודל שבב (CSR) ובו שני
שבבי זיכרון SDRAM מסוג DDR בגודל 512 מגה-סיביות, היוצרים
זיכרון של 1 ג'יגה-סיביות במארז יחיד. ההתקן מוצע בגרסאות
DDR266 ו-DDR333 וגודלו 11.5x12 מ"מ בלבד. הוא עומד במפרט JEDEC
(0.8 מ"מ/1.0 מ"מ) ואפשר להשתמש בו במגוון מוצרים המשתמשים
בהתקני CSP מסוג DDR כיום. בהצבת שני שבבים אחד מעל השני
באופן אנכי, פתרון זה מאיץ את הביצועים ואת הנצילות של
יישומי השורה הראשונה בעלי יעדי צפיפות הדוקים. שימוש
בתפישה זו מאפשר יצירת זיכרון CSP מסוג DDR בגודל 2 ג'יגה-
סיביות.
|
