 סמסונג, המתמחה בתחום טכנולוגיית המוליכים למחצה, הכריזה על
פיתוח מוצלח של התקן זיכרון 1Gb OneNAND Flash המשתמש
בטכנולוגיית התהליך 90 ננומטר. ההתקן החדש, המספק קונספציה
חדשה המכונה "אחסון מאוחד" (Unified Storage), משלב את
פונקצית קריאת הנתונים המהירה של Nor Flash עם אחסון
הנתונים המתקדם של NAND Flash. השבב היחיד מבוסס על
ארכיקטורת NAND המשלבת זיכרון אוגר וממשק לוגיקה. ההתקן
מציע ממשק סינכרוני של 66 מה"צ ופונקצית Cashe Read המאפשרת
ביצועי קריאה מתקדמים של MBps108. מהירות הקריאה שלו גבוהה
פי ארבעה מזו של NAND Flash קונבנציונלי. מהירות זו פותרת
את זמן ההשהיה בהעתקת קוד אתחול מה- NAND Flashאל ה-DRAM
וביצוע יישומי על-פי דרישה.
|
