 חברת SAMSUNG משתמשת בטכנולוגיה של תא SRAM הקטן בעולם,
ליצירת שבב זיכרון הפועל בקצב DDR3 ובצפיפות גבוהה, למען
השגת גודל של 72 מגה-ביית. לצורך כך, השתמשה החברה
בגיאומטרית תהליך של 90 ננו-מטר והשיגה שבב ששטחו 0.79 מ"מ
רבועים. דבר זה תאפשר לה להשתמש במתח של 1.2 וולט לצריכת
הספק נמוכה יותר, תוך השגת קצב נתונים של 1.5 ג'יגה-סיביות
בשניה, במעגלים בעלי איפוס (reset) עצמי. בנוסף, כולל המעגל
קווי נתונים עיקריים בקצה יחיד (מיוחס), אשר מקטינים את
פיזור ההספק של הטעינה בהשוואה לזיכרונות SRAM רגילים בהם
קיימים קווי נתונים דיפרנציאליים (הפרשיים).
|
